ВХОД В САЙТА:

MOS – транзистори

1. MOS – транзистори – устройство, принцип на действие, видове, статични характеристики и параметри, еквивалентна схема. Мощни MOSFET, IGBT – транзистори. Принципната структура на MOS – транзистора е следната – в полупроводников монокристал с относително високо съпротивление са създадени чрез дифузия две силно легирани области с противоположен тип проводимост. Повърхността между дифузионните области е покрита чрез термично окисление с тънък слой силициев двуокис, върху които е нанесен метален електрод – гейт (G). Едната от дифузионните области се нарича сорс (началото на канала), а другата – дрейн (край на канала). Чрез метализация са направени изводи от сорса (S), дрейна (D) и подложката (В). Съществуват два типа MOS – транзистори – с индуциран канал и с вграден канал. В MOS – транзистори с индуциран канал, проводящ канал между област...

Вид материал: Лекция
Предмет: Механика
Добавен на: 31.03.2010
Подходящ за: Студенти
Други: Документът е използван в гр. Пловдив
Размер на файла: 44 kb
 
НАЙ-ТЕГЛЕНИ ЗА ДНЕС:
Статистическо изучаване и оперативно отчитане на автомобилният парк
Човешките ценности според „Реторика"на Аристотел
Компоненти на БВП по метода на доходите. Относителен дял на амортизаци...
Осигуряване за всички осигурени рискове
Характеристика на методите за третиране на опции
ИЗБРАНИ ТЕМИ:
 Други учебни материали по Статистик...
 Конспекти по Литература
 Теми по Логистика
 Курсови работи по Селско стопанство
 Други учебни материали по Математич...
 Протоколи по Математика
 Реферати по Фолклористика
 Курсови работи по Астрономия
 Проекти по Медицина
 Проекти по Специална педагогика
 Доклади по Физикохимия
 Доклади по Ботаника
 Казуси по Логистика
 Курсови работи по Европейска интегр...
 Анализи по Макроикономика
 Виж всички

© 2018 Learn.bg - Всички права запазени! - Условия за позлване - За контакти: info@(at)learn.bg