ВХОД В САЙТА:

MOS – транзистори

1. MOS – транзистори – устройство, принцип на действие, видове, статични характеристики и параметри, еквивалентна схема. Мощни MOSFET, IGBT – транзистори. Принципната структура на MOS – транзистора е следната – в полупроводников монокристал с относително високо съпротивление са създадени чрез дифузия две силно легирани области с противоположен тип проводимост. Повърхността между дифузионните области е покрита чрез термично окисление с тънък слой силициев двуокис, върху които е нанесен метален електрод – гейт (G). Едната от дифузионните области се нарича сорс (началото на канала), а другата – дрейн (край на канала). Чрез метализация са направени изводи от сорса (S), дрейна (D) и подложката (В). Съществуват два типа MOS – транзистори – с индуциран канал и с вграден канал. В MOS – транзистори с индуциран канал, проводящ канал между област...

Вид материал: Лекция
Предмет: Механика
Добавен на: 31.03.2010
Подходящ за: Студенти
Други: Документът е използван в гр. Пловдив
Размер на файла: 44 kb
 
НАЙ-ТЕГЛЕНИ ЗА ДНЕС:
Държавата – това съм АЗ
Изкушение и устойчивост – Изворът на белоногата
Управление на иновациите - изпитен тест
Маркетингови изследвания - тест
Маркетингови изследвания - тест 2
ИЗБРАНИ ТЕМИ:
 Дипломни работи по Промишлен дизайн
 Конспекти по Бизнес комуникации и к...
 Биографии по Биология
 Курсови работи по История на държав...
 Лекции по Естетика
 Курсови работи по Мениджмънт
 Лекции по Археология
 Лекции по Музика
 Курсови работи по Европейска интегр...
 Лекции по Ботаника
 Курсови работи по Нова българска ли...
 Проекти по География
 Лекции по Административно право
 Документи по Маркетинг
 Тестове по Математика
 Виж всички

© 2018 Learn.bg - Всички права запазени! - Условия за позлване - Политика за защита на личните данни - За контакти: info@(at)learn.bg