ВХОД В САЙТА:

MOS – транзистори

1. MOS – транзистори – устройство, принцип на действие, видове, статични характеристики и параметри, еквивалентна схема. Мощни MOSFET, IGBT – транзистори. Принципната структура на MOS – транзистора е следната – в полупроводников монокристал с относително високо съпротивление са създадени чрез дифузия две силно легирани области с противоположен тип проводимост. Повърхността между дифузионните области е покрита чрез термично окисление с тънък слой силициев двуокис, върху които е нанесен метален електрод – гейт (G). Едната от дифузионните области се нарича сорс (началото на канала), а другата – дрейн (край на канала). Чрез метализация са направени изводи от сорса (S), дрейна (D) и подложката (В). Съществуват два типа MOS – транзистори – с индуциран канал и с вграден канал. В MOS – транзистори с индуциран канал, проводящ канал между област...

Вид материал: Лекция
Предмет: Механика
Добавен на: 31.03.2010
Подходящ за: Студенти
Други: Документът е използван в гр. Пловдив
Размер на файла: 44 kb
 
НАЙ-ТЕГЛЕНИ ЗА ДНЕС:
Държавата – това съм АЗ
Изкушение и устойчивост – Изворът на белоногата
Дидактика - тест
План-конспект: Геометрични фигури
Управление на иновациите - изпитен тест
© 2019 Learn.bg - Всички права запазени! - Условия за позлване - За контакти: info@(at)learn.bg